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GAM 半固體培養(yǎng)基
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  GAM 半固體培養(yǎng)基的詳細(xì)資料:

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GAM 半固體培養(yǎng)基選擇性培養(yǎng)基
•選擇性培養(yǎng)基均含有營(yíng)養(yǎng)物(增菌劑)和抑菌劑(選擇劑)。
•標(biāo)本接種于這類培養(yǎng)基后,由于抑菌劑的選擇性抑制作用,使所要分離的病原菌得到較好的繁殖,而其他菌被抑制。
•抑菌劑的種類很多,如孔雀綠、煌綠、檸檬酸鈉、膽鹽、四磺磺酸鈉等,但抑菌劑的加入量需準(zhǔn)確,有的可能水溶液無(wú)菌配制冷藏備用,有的又不耐高熱,配制無(wú)需高壓滅菌。
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         碘化亞銅(I)    Copper(I) iodate     CoAs  1CH2  27016-73-5  氰化鋅    Zinc cyanide
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         達(dá)唑氧苯    Dazoxiben     Cr  0010  7440-47-3  六水合三氯化鉻    Chromium(III) chloride hexahydrate
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         次磷酸鈣鹽    Calcium hypophosphite     CrBr3  1CDG  10031-25-1  多烯紫杉醇    Docetaxel
         除蟲菊素I    Pyrethrin     CrCl2?4H2O  1CDD  13931-94-7  氯化鉻    chromium(Ⅳ)chloride
         除蟲菊素I    Pyrethrin     CrCl3·6H2O  0KQA  10060-12-5  硫酸鉻六水    Chromic sulfate
         初卟啉    Etioporphyrinato Vanadyl(IV)     CrCl4  1CDE  15597-88-3  溴化鉻(Ⅱ)    Chromium(Ⅱ)bromide
         橙皮苷查爾酮    Hesperidin methyl chalcone     CrF3?3.5H2O  1CDC  16671-27-5  四水氯化鉻    Chromium(Ⅱ)chloride tetrahydrate
         橙皮苷查爾酮    Hesperidin methyl chalcone     CrI3  1CDH  13569-75-0  亞鉻酸鎂    magnesium chromite
         超氧化鉀    Potassium oxide super     CrK(SO4)2?12H2O  0K69  7788-99-0  四氟硼酸銫    Cesium tetrafluoroborate
         超氧化鉀    Potassium oxide super     CrO3  097M  1333-82-0  (2R,3R)-(+)-雙(二膦)丁烷    (2R,3R)-(+)-Bis(diphenylphosphino)butane        
鑒別培養(yǎng)基
•鑒別培養(yǎng)基有一般鑒別培養(yǎng)基和選擇性鑒別培養(yǎng)基之分。
•用于區(qū)別不同微生物種類的培養(yǎng)基稱為一般鑒別培養(yǎng)基,此類培養(yǎng)基中一般不加抑菌劑而只含指示劑。
•在培養(yǎng)基中加入某種抑制劑和指示劑,以抑制某些細(xì)菌生長(zhǎng),而促進(jìn)某種病原菌的繁殖,并使菌落具有一定特征,以助鑒別、分離。這類培養(yǎng)基稱為選擇性鑒別培養(yǎng)基。
厭氧菌培養(yǎng)基
•厭氧菌的分離、培養(yǎng)和鑒別用的培養(yǎng)基,稱為厭氧菌培養(yǎng)基。
•由于厭氧菌自身缺乏有氧代謝*的各種酶,所以厭氧菌在正常的大氣環(huán)境下既不能生長(zhǎng)又不能生存。
•通常用心、腦或其他臟器浸液配制厭氧菌培養(yǎng)基,并常需加入硫乙醇酸鈉、半胱氨酸、葡萄糖、肝塊、肉渣、還原鐵、脫脂棉或活性炭等還原劑和除氧材料
厭氧菌培養(yǎng)基
•在液體培養(yǎng)基中還可加入刃天青或美蘭作氧化還原指示劑以觀察培養(yǎng)基的含氧程度。
•使培養(yǎng)基保持較低的氧化還原電勢(shì),以保證厭氧菌生長(zhǎng)的良好環(huán)境。也可在培養(yǎng)基表面加液體石蠟。

產(chǎn)品相關(guān)關(guān)鍵字: GAM 半固體培養(yǎng)基 GAM Semisolid Medium
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